1.5.3 Spice Level 3模型

Level3模型对Level2模型的一些解析式进行了简化并引入了许多经验常数，提高了模型对沟道长度小到1μm的器件的仿真精度。0.8μm硅栅n阱CMOS的Level 3 Spice模型典型参数参见表1.5。

表1.5 0.8μmLevel3Spice模型典型参数

表中：DELTA—窄沟道阈值调节系数；THETA—迁移率退化系数；

ETA—静态反馈阈值调节系数；XJ—冶金结深；

KAPPA—沟道调制饱和场系数；NFS—弱反型参数。

该模型的阈值电压公式中考虑到了短沟道、窄沟道效应和漏致势垒降低效应，其迁移率模型包括了垂直和横向的电场影响，而且采用了更复杂的方法计算沟道长度调制以及电荷、电容参数。

与Level 2模型相似，Level 3模型对宽而短的器件，精度中等，但对长沟道器件误差较大。Level3模型的缺点在于，在线性区边界ID对VDS导数不连续，因此计算的输出阻抗有较大误差。