1.3.2 Bipolar晶体管大信号模型

如果晶体管的VCE＞VCE，sat（大约为0.3V），则此晶体管工作于有源区，电压VCE，sat用来确保基区的空穴无法到达集电极。BJT工作于有源区的大信号模型如图1.24所示，模型中的参数如下所述。

图1.24 BJT晶体管有源区的大信号模型

由于IB=IC/β，因此有

此式与二极管的公式相似，但是多了一个常数ICS/β=IBS。由于IE=IB+IC，故有

同样有

式中，α定义为

对于大的β，α近似为

如果要在模型中包含VCE对IC的影响，则流控电流源βIB应该用下面的电流源代替

式中，VA为Early电压常数。

当集电极-射极电压接近VCE，sat（典型值为0.2～0.3V）时，基-集结变得正偏，从基极来的空穴会开始扩散到集电极。图1.25为晶体管处于饱和区的模型，注意此时由于集电极电流值较小，VCE，sat的值将有所降低。